Aug, 2023

应用拉格朗日乘子的受限贝叶斯优化在功率晶体管设计中的应用

TL;DR提出一种新颖的受限贝叶斯优化(BO)算法,用于优化侧向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管的设计过程,实现目标击穿电压(BV)。通过引入拉格朗日乘子,将受限 BO 问题转化为传统 BO 问题,并将拉格朗日函数设置为 BO 的目标函数。利用具有可变拉格朗日乘子的自适应目标函数,可以解决需要耗费昂贵评估的约束 BO 问题,无需额外的替代模型来近似约束条件。该算法使设备设计师能够在设计空间中设置目标 BV,并自动获得满足优化 FOM 和目标 BV 约束的设备。利用该算法,还在定义的设计空间内探索了 30-50V 范围内设备 FOM 的物理限制。