Aug, 2024

存储技术在神经突触交叉阵列中的比较评估- 第二部分:设计因素与DNN准确性趋势

TL;DR本研究针对存储技术在深度神经网络(DNN)加速中的硬件非理想性对DNN准确性的影响,提出了交叉层设计解决方案。通过分析不同设计因素对4种存储技术(8T SRAM、铁电晶体管FeFET、阻抗RAM和自旋轨道扭矩磁RAM)的性能影响,研究发现部分字线激活(PWA)和自定义ADC参考电平能够显著提高DNN的推理准确性,PWA最多提升32.56%的准确率。