Apr, 2019

垂直磁化隧穿结中的偏移场

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TL;DR本文研究了影响垂直磁化隧道结自由层的偏移场，并且发现在扩展薄膜中，自由层的偏移场是由于与参考层通过 MgO 隧道氧化物的层间交换耦合引起的，这种偏移场伴随着自由层和参考层铁磁共振频率的偏移，其幅度取决于这两种磁化的相对方向，并且该偏移场随隧道氧化物的电阻面积积的减小而减小。将隧道结制成 STT-MRAM 磁盘形状的单元使得偏移场发生了显著变化，因为通过参考层和硬层的漂移场随着横向尺寸的缩小而产生，实验结果表明这时的偏移场与这些漂移场的空间平均值最接近，因此提供了偏移场工程的指导。
perpendicular magnetizationtunnel junctionsoffset fieldferromagnetic resonance frequenciesstt-mram
发现论文，激发创造
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