Feb, 2024

ReRAM 神经形态电路阵列中的卡住错误及其通过机器学习的纠正

TL;DR本研究探讨了阻性随机访问存储器(ReRAM)神经形态电路的推理准确性,由于出现接通、断开和特定电阻值处的堵塞故障导致的准确性下降。使用 Python 的模拟框架进行监督式机器学习(具有 3 个隐藏层、1 个输入层和 1 个输出层的神经网络)对手写数字进行仿真,并构造相应的完全模拟神经形态电路(4 个突触阵列)由 Spectre 模拟。采用了通用的 45 纳米工艺开发套件(PDK)。研究了接通和断开缺陷对推理准确性下降的差异。对不同的缺陷模式进行了研究,包括圆形、环形、行、列和互补圆形缺陷。发现接通和断开缺陷对推理准确性有类似的影响。然而,还发现如果列之间存在空间缺陷变化,推理准确性可能会显著下降。我们还提出了一种机器学习(ML)策略,用于恢复由于堵塞故障导致的推理准确性下降。在有缺陷的神经形态电路中,推理准确性从 48% 提高到 85%。