Feb, 2024
无监督与监督学习相结合的显微镜技术实现对整片 4H-SiC 晶片缺陷分析
Combining unsupervised and supervised learning in microscopy enables defect analysis of a full 4H-SiC wafer
Binh Duong Nguyen, Johannes Steiner, Peter Wellmann, Stefan Sandfeld
TL;DR通过融合各种图像分析和数据挖掘技术，我们在这项工作中创建了一个强大且准确的自动化图像分析流水线，用于提取显微图像中 KOH 刻蚀的 4H-SiC 晶片的所有缺陷的类型和位置。